SiC 再起风云：中国厂商崛起重塑全球碳化硅格局，技术路线加速分化

全球碳化硅（SiC）市场的风向正在发生剧烈转变。近日，半导体巨头安森美（Onsemi）宣布其位于捷克罗兹诺夫的厂区将裁减200至300名员工，主要波及核心的碳化硅晶圆制造部门。这也是继2025年裁员170人后，该厂区再度面临组织调整。

这场裁员风暴的背后，折射出西方半导体厂商在面对中国本土供应链强势崛起时的阵痛。随着中国SiC厂商的崛起和成本的优势，将一片碳化硅晶圆的生产成本压低至西方同行的三分之一，强烈的价格重塑正迫使安森美等国际巨头不得不重新审视其"从晶圆到芯片"的垂直一体化战略。

技术路线分化

2026年，SiC MOSFET的竞争并没有简单走向"沟槽全面取代平面"，而是进入了一个更复杂的路线分化期：

• 沟槽阵营：三菱电机、博世、东芝、罗姆、英飞凌等深挖沟槽结构，追求更高晶胞密度、更低导通电阻
• 平面阵营：意法半导体、Wolfspeed、安森美继续压榨平面架构的工程潜力，用成熟工艺和车规验证守住商业化底线

这不是一场先进路线对落后路线的简单替代，而是藏着半导体工业在性能与商业良率之间的思辨。

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• SiC，再起风云 — 投资界