氮化硅这条线，难的不是损耗做多低

昨天群里有人转台积电在 OFC 2025 那篇 SiN-on-SOI 的工作，我点开看了一遍。他们用低温 PECVD 沉积氮化硅，为的是别把旁边的硅有源器件烤坏。代价写得很老实，低温 PECVD 的薄膜质量和均匀性不如高温 LPCVD，得再做一轮工艺优化补回来。

这一句比整篇的器件数据都值得看。氮化硅波导这条路走了四十来年，七十年代末就能导光，八十年代末把电信波段的传播损耗压到 0.3 dB/cm 以下，指标层面早就不是问题。真正的分水岭一直在于工艺窗口有多宽，能不能重复。

我这边给客户做横向评估，问工艺平台供应商的第一个问题是良率曲线长什么样、PDK 成熟到什么程度、跑过多少批流片，损耗反倒排在后面。国科光芯这类做氮化硅工艺的，卖的就是这个。参数好看但每批都要工程师盯着的平台，客户不会为它掏钱。

判断就一句，这条线的商业价值不在实验室的最优值，在产线上的方差。 谁把方差压下来，谁就能接到单。