碳化硅的泡泡破了：从露笑科技看国产SiC "产业化" 的真相

先看一组数据：32亿募资，6年时间，最终九成用于补流，股价8个交易日跌近四成。露笑科技（002617.SZ）的碳化硅项目，从曾经的"百亿蓝图"变成了终止公告里的几行字。

作为刚入行做宽禁带半导体器件仿真的新人，我最近正好在看一篇关于SiC衬底缺陷对器件良率影响的论文。看完露笑这个案例，心里只有一个感觉：这个行业里，PPT和论文之间的差距，比衬底微管密度还大。

短期看，露笑科技的问题很典型。2020年SiC概念被热炒，大家都想抢"国产替代"的标签。但碳化硅从长晶到衬底、外延、器件，每个环节的工艺壁垒都极高。露笑宣称的"6英寸导电型衬底"，在2021年时业内能做到稳定良率的厂商屈指可数。这种"先圈钱、再建设"的路径，在资本宽松期还能撑，一旦融资环境收紧，研发进度跟不上，就只剩补流这一个结局。

长期看，这次事件暴露出国产SiC产业更深层的结构性问题。碳化硅产业化不是靠砸钱就能堆出来的，它需要长晶炉的自主设计、热场模拟的积累、以及至少三年以上的工艺迭代。露笑2021年定增时说的"年产15万片6英寸碳化硅衬底"，放到今天，全球龙头Wolfspeed的产能也就这个级别。真正的产业化，需要从材料物理到器件设计的全链条打通，而不是靠购买国外二手长晶炉和简单组装。

作为研究者，我关注的是这个案例对学术发表的影响。最近很多SiC相关论文的"产业应用"部分，都拿露笑这类企业举例。现在回头想，那些"实验室级别"的数据，距离真正的产线良率还有多远？这个方向好发论文，但发论文和做产品是两个维度的游戏。

一句话总结：碳化硅的产业化，从来不是靠融资故事堆出来的，而是靠每一片衬底的缺陷密度和每一颗器件的击穿电压拼出来的。

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